Интегральная схема может содержать миллионы транзисторов (а также диодов, резисторов и конденсаторов) из легированного кремния, соединенных между собой по соответствующей схеме, которые образуют логическую ячейку вычислительной машины, ячейку памяти или схему другого типа. Сотни микросхем могут быть изготовлены на одной пластине.

Диффузия

Термин диффузия применяется для описания процесса перемещения примесей из областей высокой концентрации на выходном конце диффузионной печи в области низкой концентрации в кремниевой пластине. Диффузия представляет собой наиболее признанный метод образования переходов.

Этот метод заключается в том, что пластина подвергается воздействию высокой температуры в диффузионной печи. В печи содержатся необходимые добавки (примеси) в парообразном состоянии, и в результате реакций в пластине формируются области с примесной электрической активностью p- или n-типа. Наиболее часто применяемыми примесями являются бор для р-типа и фосфор (Р), мышьяк (As) или сурьма (Sb) для n-типа

Химическое осаждение

При нанесении металлических пленок на полупроводниковые подложки применяются два основных метода осаждения: электролитическое с применением электрического тока и осаждение без применения электрического тока. Электролитическое осаждение производится в электролитических ваннах, где подложка, на которую должно быть нанесено покрытие, помещается у катода, или отрицательно заряженной клеммы и погружается в электролитический раствор. Электрод, который выполнен из материала осаждаемой пленки, служит анодом (положительно заряженной клеммой). При пропускании постоянного тока через раствор положительно заряженные ионы металла, растворяющиеся в анодном растворе, мигрируют и осаждаются на катоде (подложке). Этот метод осаждения применяется при образовании проводящих пленок из золота или меди.



Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149,

Изготовление интегральных схем (IC) представляет собой цепь технологических процессов, которые могут повторяться много раз. В самых популярных IC применяется 6 и более масок для формирования рисунков, чаще всего от 10 до 24. Изготовление микросхемы начинается с кремниевой пластины, имеющей сверхвысокую чистоту и диаметр от 4 до 12 дюймов. Высокочистый кремний является почти изолятором, но определенные примеси, которые называются легирующими добавками и добавляются в количестве от 10 до 100 частей на миллион, делают кремний способным проводить электричество.


сайты наших партнеров:
Warning: in_array() expects parameter 2 to be array, null given in /home/gair/gup-matys.ru/acddd11fe3ea15a8f50905122beffdfd/sape.php on line 192