Интегральная схема может содержать миллионы транзисторов (а также диодов, резисторов и конденсаторов) из легированного кремния, соединенных между собой по соответствующей схеме, которые образуют логическую ячейку вычислительной машины, ячейку памяти или схему другого типа. Сотни микросхем могут быть изготовлены на одной пластине.

Резистивное испарение (также известное как катодное испарение) - это наиболее простой и наименее дорогой тип охлаждения. Испарение происходит путем постепенного увеличения тока, текущего через катод, чтобы сначала расплавить петли материала, который будет испаряться, покрывая катод. После того, как катод покрыт, ток через него увеличивается до тех пор, пока не произойдет испарение. Основным преимуществом резистивного испарения является большое разнообразие материалов, которые могут быть испарены.

Ионное легирование

Ионное легирование - новый метод введения примесей при комнатной температуре в кремниевые пластины для образования переходов. Ионизированные атомы примесей (т.е. атомы, лишенные одного и более электронов) ускоряются до высокой энергии путем пропускания их через разность потенциалов в десятки тысяч вольт. В конце пути атомы бомбардируют пластину и внедряются на разную глубину в зависимости от их массы и энергии. Так же, как при обычной диффузии, окисный слой или фоторезистивная маска избирательно маскируют пластину от ионов. Типичная система ионного легирования состоит из источника ионов (источник газообразных примесей, обычно в небольших бутылях), анализатора, ускорителя, фокусирующих линз, ловушки для нейтрального пучка, камеры сканирующего устройства и вакуумной системы (обычно состоящей из трех отдельных установок, находящихся на одной линии форвакуумных и масляных диффузионных насосов). Поток электронов получают от горячего катода с помощью сопротивления, дугового разряда или электронного луча холодного катода.



Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149,

Изготовление интегральных схем (IC) представляет собой цепь технологических процессов, которые могут повторяться много раз. В самых популярных IC применяется 6 и более масок для формирования рисунков, чаще всего от 10 до 24. Изготовление микросхемы начинается с кремниевой пластины, имеющей сверхвысокую чистоту и диаметр от 4 до 12 дюймов. Высокочистый кремний является почти изолятором, но определенные примеси, которые называются легирующими добавками и добавляются в количестве от 10 до 100 частей на миллион, делают кремний способным проводить электричество.


сайты наших партнеров: