Интегральная схема может содержать миллионы транзисторов (а также диодов, резисторов и конденсаторов) из легированного кремния, соединенных между собой по соответствующей схеме, которые образуют логическую ячейку вычислительной машины, ячейку памяти или схему другого типа. Сотни микросхем могут быть изготовлены на одной пластине.

Легирование

Формирование электрического перехода или границы раздела между областями p- и n- типа на монокристаллической кремниевой пластине - неотъемлемый элемент функционирования всех полупроводниковых приборов. Переходы позволяют электрическому току течь в одном направлении намного легче, чем в другом. Они обеспечивают основу функционирования диодов и транзисторов в полупроводниковых приборах. В интегральной схеме контролируемое число примесей элементов, или добавок, вводится в отдельные протравленные участки кремниевой подложки или пластины. Это может выполняться с помощью диффузии или ионной имплантации. Независимо от применяемого метода для получения полупроводниковых переходов используются одни и те же типы добавок. В таблице 83.5 представлены данные об основных компонентах, используемых для легирования, их физическом состоянии, электрическом типе (p или n) и основном методе, применяемом для получения перехода, - диффузии или ионной имплантации.

Общие сведения о технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов

Описание технологии изготовления кремниевых полупроводниковых приборов - как дискретных схем (полупроводниковых схем, содержащих только один активный прибор, например, транзистор), так и интегральных микросхем (соединенных между собой матриц активных и пассивных элементов на одной полупроводниковой подложке, способных выполнять, по крайней мере, функцию одной электронной схемы) - включает многочисленные высокотехнологические процессы и операции. Цель данной статьи состоит в общем описании и объяснении основных технологических этапов изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и соответствующих вопросов охраны окружающей среды, здоровья и безопасности (EHS).



Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149,

Изготовление интегральных схем (IC) представляет собой цепь технологических процессов, которые могут повторяться много раз. В самых популярных IC применяется 6 и более масок для формирования рисунков, чаще всего от 10 до 24. Изготовление микросхемы начинается с кремниевой пластины, имеющей сверхвысокую чистоту и диаметр от 4 до 12 дюймов. Высокочистый кремний является почти изолятором, но определенные примеси, которые называются легирующими добавками и добавляются в количестве от 10 до 100 частей на миллион, делают кремний способным проводить электричество.


сайты наших партнеров: