Интегральная схема может содержать миллионы транзисторов (а также диодов, резисторов и конденсаторов) из легированного кремния, соединенных между собой по соответствующей схеме, которые образуют логическую ячейку вычислительной машины, ячейку памяти или схему другого типа. Сотни микросхем могут быть изготовлены на одной пластине.

Диффузия

Термин диффузия применяется для описания процесса перемещения примесей из областей высокой концентрации на выходном конце диффузионной печи в области низкой концентрации в кремниевой пластине. Диффузия представляет собой наиболее признанный метод образования переходов.

Этот метод заключается в том, что пластина подвергается воздействию высокой температуры в диффузионной печи. В печи содержатся необходимые добавки (примеси) в парообразном состоянии, и в результате реакций в пластине формируются области с примесной электрической активностью p- или n-типа. Наиболее часто применяемыми примесями являются бор для р-типа и фосфор (Р), мышьяк (As) или сурьма (Sb) для n-типа

Легирование

Формирование электрического перехода или границы раздела между областями p- и n- типа на монокристаллической кремниевой пластине - неотъемлемый элемент функционирования всех полупроводниковых приборов. Переходы позволяют электрическому току течь в одном направлении намного легче, чем в другом. Они обеспечивают основу функционирования диодов и транзисторов в полупроводниковых приборах. В интегральной схеме контролируемое число примесей элементов, или добавок, вводится в отдельные протравленные участки кремниевой подложки или пластины. Это может выполняться с помощью диффузии или ионной имплантации. Независимо от применяемого метода для получения полупроводниковых переходов используются одни и те же типы добавок. В таблице 83.5 представлены данные об основных компонентах, используемых для легирования, их физическом состоянии, электрическом типе (p или n) и основном методе, применяемом для получения перехода, - диффузии или ионной имплантации.



Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149,

Изготовление интегральных схем (IC) представляет собой цепь технологических процессов, которые могут повторяться много раз. В самых популярных IC применяется 6 и более масок для формирования рисунков, чаще всего от 10 до 24. Изготовление микросхемы начинается с кремниевой пластины, имеющей сверхвысокую чистоту и диаметр от 4 до 12 дюймов. Высокочистый кремний является почти изолятором, но определенные примеси, которые называются легирующими добавками и добавляются в количестве от 10 до 100 частей на миллион, делают кремний способным проводить электричество.


сайты наших партнеров: